Samsung ha tenuto una cerimonia che ha segnato l’inizio delle spedizioni del primo lotto dei suoi chip a 3 nm realizzati con transistor GAA. L’evento si è svolto presso il sito in cui si trova la linea di produzione V1, nel campus di Hwaseong in Corea del Sud.
All’evento erano presenti circa 100 persone, tra cui alti funzionari del Ministero del Commercio, dell’Industria e dell’Energia della Corea del Sud e tutti i dipendenti chiave di Samsung che hanno contribuito allo sviluppo e all’organizzazione della produzione di massa dei chip di nuova generazione. Durante l’evento, Samsung ha annunciato l’ambizioso obiettivo di “progredire con tecnologie innovative per diventare i migliori al mondo”.
Secondo la Samsung Foundry, gli ostacoli tecnologici nello sviluppo del processo a 3 nm non ci sono stati grazie alla collaborazione con le altre divisioni di Samsung e con i partner produttivi e infrastrutturali dell’azienda.
I chip a 3 nm di Samsung utilizzano la tecnologia dei transistor GAA (Gate All Around), che garantisce un consumo energetico più efficiente e prestazioni migliori rispetto al già utilizzato FinFET. La nuova soluzione sarà utilizzata per produrre processori destinati a server, data center e chipset avanzati per smartphone, tablet, wearable, laptop, desktop e altri dispositivi elettronici.
L’azienda ha iniziato a sviluppare il GAA nei primi anni 2000 e lo ha applicato con successo per la prima volta nella produzione di chip a 3 nm nel 2017. Dopo diversi anni di ricerca e test, è iniziata la produzione di nuove soluzioni. In particolare, i chip a 3 nm saranno forniti a una società mining cinese.
Il principale concorrente di Samsung nel mercato della produzione a contratto di semiconduttori, TSMC, inizierà a produrre chip a 3nm intorno al quarto trimestre del 2022. Entrambi si contenderanno il diritto di ricevere gli ordini dai principali produttori come AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA e Qualcomm. Tuttavia, continueremo a seguire lo sviluppo degli eventi nelle prossime settimane.
