La società SK hynix ha annunciato ieri giovedì 10 novembre il suo chip di memoria DRAM LPDDR5X, il naturale successore di LPDDR5. I nuovi moduli raggiungono gli 8,5 Gbps, la stessa velocità raggiunta dai componenti Samsung con la stessa tecnologia.
Secondo SK hynix, l’hardware è realizzato con un materiale ad alta costante dielettrica, che riduce la dispersione di corrente e migliora la capacità, che aumenta la velocità e riduce il consumo energetico del chip di memoria.
Alla luce di ciò, il produttore dichiara di aver raggiunto la più alta efficienza del settore, riducendo il consumo energetico del 25%. In confronto, la RAM LPDDR5X di Samsung si è ridotta del 20%, offrendo la stessa velocità di 8,5 Gbps.
"Durante la progettazione di LPDDR5X, non è stato facile soddisfare le specifiche di 8,5 Gbps. Diversi dipartimenti interni avevano opinioni diverse su come soddisfare questa specifica, ma ci siamo fidati delle nostre capacità e abbiamo completato con successo lo sviluppo dell'LPDDR5X più veloce del settore nei tempi previsti", ha dichiarato l'azienda.
La nuova RAM LPDDR5X funziona anche in un intervallo di tensione da 1,01 a 1,12 V, il che spiega il minor consumo energetico dei nuovi chip di memoria. Per quanto riguarda le velocità, SK hynix afferma di essere il 33% più veloce dello standard LPDDR5.
Infine, il produttore non ha menzionato i clienti con cui ha contratto la fornitura dei suoi chip di memoria di nuova generazione. L’azienda è molto ottimista riguardo ai nuovi semiconduttori più veloci e potenti che verranno sviluppati in futuro.
Nel corso dei prossimi giorni potremmo avere ulteriori dettagli sulla nuova DRAM LPDDR5X di SK hynix, quindi seguiteci sui nostri canali ed appena avremo nuove informazioni sull’argomento o altre notizie provenienti dal mondo della tecnologia posteremo un nuovo articolo per tenervi aggiornati come sempre.
