Con una tecnologia NAND a 232 strati, velocità di lettura e scrittura straordinarie e maggiore efficienza energetica, la nuova memoria UFS 4.0 di Micron promette di rivoluzionare l’esperienza d’uso degli smartphone.
Micron ha annunciato il rilascio della memoria UFS 4.0 che sarà integrata nei futuri smartphone, tablet e altri dispositivi. La memoria flash di ultima generazione promette velocità di lettura e scrittura notevolmente più elevate rispetto allo standard PCIe Gen 3.0 e una maggiore efficienza energetica.
La memoria UFS 4.0 è realizzata con la tecnologia NAND a 232 strati di Micron. Questa innovativa tecnologia permette di aumentare il numero di bit per metro quadrato, il che si traduce in un incremento della densità di memoria e una riduzione del consumo energetico, rendendo questa nuova memoria ideale per una vasta gamma di applicazioni.
“L’ultima soluzione mobile di Micron sfrutta al meglio la nostra avanzata tecnologia UFS 4.0, il controller proprietario a basso consumo, la NAND a 232 strati e un’architettura del firmware altamente configurabile. Queste tecnologie ci permettono di offrire prestazioni senza eguali e posizionano Micron all’avanguardia nel fornire le innovazioni in termini di prestazioni e basso consumo energetico di cui i nostri clienti necessitano per garantire un’eccezionale esperienza d’uso finale negli smartphone di punta”, ha dichiarato un portavoce di Micron.
Uno dei maggiori punti di forza della memoria UFS 4.0 è l’incremento della velocità di lettura e scrittura sequenziale. Secondo i dati pubblicati da Micron, la sua memoria flash supera le prestazioni dei chip UFS 4.0 di Samsung. Micron afferma che la sua memoria flash NAND può raggiungere velocità di lettura sequenziale di 4.300 MB/s e velocità di scrittura sequenziale di 4.000 MB/s. Grazie a queste performance, Micron sostiene che le app per smartphone si avvieranno con una rapidità superiore del 15% e che i dispositivi mobili avranno una velocità di avvio superiore del 20% rispetto alla memoria UFS 3.1.
La nuova tecnologia offre anche un’efficienza energetica superiore del 25% rispetto allo standard precedente e presenta un vantaggio del 10% in termini di scrittura rispetto alla concorrenza. Per far comprendere al meglio queste prestazioni, Micron ha fornito un esempio: con la nuova memoria flash, gli utenti saranno in grado di scaricare due ore di contenuto in streaming 4K in meno di 15 secondi, il doppio della velocità rispetto allo standard di precedente generazione.
Micron ha iniziato la distribuzione di campioni della sua nuova memoria UFS 4.0 ai produttori di smartphone e ai produttori di chipset in tutto il mondo. Le versioni disponibili sono da 256 GB, 512 GB e 1 TB, e la produzione su larga scala dovrebbe iniziare nella seconda metà del 2023. Si prevede che la nuova memoria flash sarà utilizzata in diversi smartphone di punta equipaggiati con il chipset Snapdragon 8 Gen 3 di Qualcomm e il Dimensity 9300 di MediaTek, a meno che Samsung non presenti prima del lancio ufficiale la sua memoria UFS 5.0 di ultima generazione.
