Con capacità di 16 GB e una velocità operativa che può raggiungere i 7200 MT/s, la nuova memoria DDR5 di Micron promette di potenziare notevolmente le prestazioni di PC e applicazioni server, spingendosi oltre con una efficienza energetica migliorata del 33% per watt.
Micron ha presentato al mondo della tecnologia una novità di spicco che potrebbe ridisegnare gli standard di prestazione nell’ambito della memoria digitale: la memoria DRAM di tipo DDR5. Con una capacità di 16 GB e una notevole velocità operativa che può estendersi fino a 7200 MT/s, questo componente si presta ad essere un alleato prezioso non solo per i PC tradizionali ma anche per le applicazioni server.
Secondo i dati rilasciati direttamente dall’azienda, questa memoria DDR5 è in grado di offrire prestazioni che si attestano fino al 50% superiori rispetto alla generazione precedente di DRAM. Inoltre, vanta un’efficienza per watt superiore del 33%, un risultato conseguito grazie all’implementazione del clock a 4 fasi, della sincronizzazione del clock e della tecnologia CMOS arricchita da un alto contenuto di carbonio.
Brian Callaway, vicepresidente del Core Compute Design Engineering Group di Micron, ha espresso il suo entusiasmo e la portata del lancio nel mercato tecnologico: “La produzione in grandi volumi e la disponibilità di DRAM 1β DDR5 per le piattaforme dei clienti e i data center segna un’importante pietra miliare nel settore. La collaborazione con i nostri partner dell’ecosistema e con i clienti favorirà una più rapida adozione di queste offerte di memoria ad alte prestazioni“.
La novità introdotta dalla memoria DRAM DDR5 di Micron non consiste soltanto nella pura potenza e nelle performance, ma apre anche nuovi orizzonti applicativi. L’intelligenza artificiale, l’IA generativa, l’analisi dei dati e i database potranno beneficiare in modo significativo di questo nuovo tipo di prodotto, con una capacità computazionale e prestazioni nettamente superiori.
Il capitolo della tecnologia 1β dell’azienda non si limita a questo lancio, ma si estende, contribuendo a formare un portafoglio più ampio di soluzioni basate sulle sue memorie. Ciò si traduce nella possibilità di sviluppare RDIMM e MCRDIMM DDR5 basandosi sugli array di DRAM da 16 Gb, 24 Gb e 32 Gb. In aggiunta, gli array di DRAM da 16 Gb e 24 Gb trovano applicazione nei prodotti LPDDR5X, nonché HBM3E e GDDR7.
