Samsung Foundry conferma i piani per produrre chip semiconduttori a 2 nm nel 2025 e a 1,4 nm nel 2027, svelando una serie di tecnologie avanzate e sforzi per espandere la capacità di produzione.
Samsung Foundry, il secondo produttore di chip al mondo, ha rivelato dettagli ambiziosi della sua roadmap tecnologica per la produzione di chip semiconduttori a 2 nm nel 2025 e a 1,4 nm nel 2027. Le informazioni sono state rivelate durante il settimo evento Samsung Foundry Forum 2023.
Il produttore sudcoreano ha dichiarato che la sua tecnologia di fabbricazione SF2 (Samsung Foundry 2nm) sarà disponibile per i clienti nel 2025. Questa tecnologia promette un’efficienza energetica superiore del 25% a parità di velocità di clock e complessità rispetto ai chip a 3 nm di seconda generazione, prodotti attualmente. Inoltre, offre un miglioramento del 12% delle prestazioni e una riduzione del 5% dell’area del chip. Per rendere i chip a 2 nm più attrattivi, Samsung Foundry prevede di integrare questa tecnologia in vari progetti di chip, tra cui LPDDR5X, HBM3, PCIe Gen 6 e 112G SerDes.
I chip a 2 nm di Samsung saranno seguiti da una seconda generazione chiamata SF2P (Samsung Foundry 2nm Performance) nel 2026, ottimizzati per il calcolo ad alte prestazioni. Nel 2027, Samsung lancerà SF2A (Samsung Foundry 2nm Automotive) per i chip automobilistici.
Il lancio di queste tecnologie di fabbricazione coincide con la timeline della rivale TSMC, dando vita a una competizione accesa per guadagnare i favori di grandi clienti come AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA e Qualcomm. Nel frattempo, Intel prevede di avere la propria tecnologia di produzione di chip di classe 2 nm, chiamata 20A, disponibile nel 2024.
Samsung Foundry non si ferma qui. Ha annunciato l’introduzione di chip RF (radiofrequenza) a 5 nm nella prima metà del 2025 per applicazioni 6G. Rispetto ai chip RF a 14 nm della generazione attuale, questi offriranno un miglioramento del 40% nell’efficienza energetica e una densità di transistor superiore del 50%. Chip RF a 8 nm e 14 nm saranno disponibili per l’industria automobilistica.
Il produttore ha anche svelato piani per produrre chip di semiconduttori di potenza GaN (nitruro di gallio) da 8 pollici per prodotti di consumo, data center e applicazioni automobilistiche nel 2025.
Per supportare questa produzione su larga scala, Samsung Foundry espanderà le capacità produttive presso gli impianti di Pyeongtaek, in Corea del Sud, e Taylor, in Texas, negli Stati Uniti. La produzione di massa di chip presso la linea 3 (P3) di Samsung Foundry a Pyeongtaek inizierà nella seconda metà del 2023. Il nuovo impianto di Taylor, in Texas, sarà completato entro la fine dell’anno, con la produzione di serie che inizierà nella seconda metà del 2024. Ulteriori espansioni della produzione sono previste anche a Yongin, in Corea del Sud.
“Samsung Foundry ha sempre soddisfatto le esigenze dei clienti anticipando la curva dell’innovazione tecnologica”, ha affermato Siyoung Choi, Presidente e Responsabile del settore Foundry di Samsung Electronics. “Oggi siamo certi che la nostra tecnologia per nodi avanzati basata su gate-all-around (GAA) sarà fondamentale per supportare le esigenze dei nostri clienti che utilizzano applicazioni AI. Garantire il successo dei nostri clienti è il valore più centrale dei nostri servizi di fonderia”.
L’annuncio di Samsung Foundry sottolinea l’intenso ritmo di innovazione nel settore dei semiconduttori, con un’accesa corsa per la supremazia in termini di miniaturizzazione e prestazioni. La sfida continua, e la domanda chiave resta: quale tra questi giganti della tecnologia riuscirà a dominare il mercato nei prossimi anni?
