Samsung ha lanciato una versione aggiornata della sua RAM DDR5 da 16 GB. La memoria è costruita sulla tecnologia di processo produttivo a 12 nm, con un aggiornamento rispetto al prodotto EUV da 14 nm attualmente sul mercato. Vediamo i dettagli…
Samsung ha annunciato oggi mercoledì 21 dicembre la versione aggiornata della sua RAM da 16 GB. Si tratta della prima DDR5 al mondo creata dal processo a 12 nm, che succede a quello EUV a 14 nm. La nuova versione porta anche la compatibilità con i chip AMD ed è convalidata e ottimizzata per le ultime piattaforme Zen.
Jooyoung Lee, vicepresidente esecutivo della tecnologia e dei prodotti DRAM di Samsung Electronics, ha dichiarato che la nuova versione contribuirà a rendere le RAM DDR5 più popolari sul mercato grazie alla sua maggiore compatibilità rispetto alla versione precedente.
“Grazie alle eccezionali prestazioni e all’efficienza energetica, ci aspettiamo che la nostra nuova DRAM serva da base per operazioni più sostenibili in settori quali l’informatica di nuova generazione, i data center e i sistemi guidati dall’intelligenza artificiale”.
Parlando di specifiche, la nuova RAM DDR5 a 12 nm di Samsung utilizza un nuovo materiale ad alto coefficiente k che offre una maggiore capacità per cella e una circuiteria migliorata con tecnologie proprietarie che consentono un guadagno del 20% in termini di profondità e densità del wafer.
Grazie a queste modifiche, la nuova RAM di Samsung è in grado di sostenere un throughput di dati fino a 7,2 gigabit al secondo, che le consente di elaborare fino a due film in definizione ultra HD da 30 GB in un solo secondo.
Oltre a prestazioni più elevate, il nuovo processo produttivo ha portato altri vantaggi, come la riduzione del consumo energetico del 23%, un’ottima notizia per le aziende IT che vogliono ridurre l’impronta di carbonio e il consumo energetico.
